另外，由于集电结处于反偏状态，而PN结反偏时本质上截止的是多数载流子的电流，所以，基区的多数载流子“空穴”就不可能会反向穿过集电结到达集电区。这样，就保证了穿越三极管到达集电极的电流只能是百分之百的“电子”流，不可能混有“空穴”流。基区的“空穴”只能起到动态的截流作用，只能形成固定比例的截流电流Ib，而不可能混入电子流Ic中。综上所述，三极管电流放大倍数β就只能是定值。
很多教科书对于这部分内容，在讲解方法上都存在有很大问题。有一些针对初、中级学者的普及性教科书，干脆采用了回避的方法，只给出结论却不讲原因。既使专业性很强的教科书，采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当，致使逻辑混乱，讲解内容前后矛盾，甚至造成讲了还不如不讲的效果，使很多初学者常常产生一头雾水的感觉。
如图C，发射结加上正偏电压导通后，在外加电压的作用下，发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区，它们在基区(P区)的身份仍然属于少数载流子的性质。如前所述，少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结。所以，这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结到达集电区形成集电极电流Ic。由此可见，集电极电流的形成并不是一定要靠集电极的高电位。