目前以Samsung在中国的投资最为领先，Samsung至2015年底投入西安厂的投资总金额已超过50亿美元，产能建置来到每月8万片，Samsung于西安佈建最先进的3D NAND Flash制程，预计2016年底将产能进一步拉升至每月10万片。
国际投资方面，Samsung和Intel在中国NAND Flash的产能建置，预估至2016年第四季将达每月11万片，，约占全球NAND Flash晶圆出货量7.6%。
(二)、中芯国际
2. 人力与研发支援
(三)、紫光集团：同方国芯定增
(四)、外资晶圆制造企业在中国：Samsung与Intel
以中国内部和资金的角度而言，有机会取得领先(此次投入计划约在180亿美元，相对中芯国际2015年Capex约在15亿美元和2016年预计21亿美元而言，是相当庞大)，是紫光主要优势，但风险在没有技术支援下，如何让技术、量产能力能与资金同时到位，顺利转量产。
1. Samsung西安Flash工厂产能拉高至每月产出10万片
NAND Flash产品特性、3D NAND需求、新兴市场的成长空间，以及国际半导体大厂在中国的投资，则为中国发展NAND Flash制造产业提供切入机会。
中芯在2014年9月宣布38nm NAND Flash记忆体工艺已就绪，虽不像武汉新芯在NAND Flash的成果和专注，此技术仍为后续开发更先进的2x/1x nm和3D NAND Flash记忆体的研发和量产奠定基础。
2. Intel大连厂转为3D NAND Flash厂
在2014年中，武汉新芯成功将NAND技术由55nm推向32nm(与Spansion合作)，至2014年底，武汉新芯与记忆体领域的世界级研发团队Spansion(已併入Cypress)组建联合研发团队，开始3D NAND专案的研发工作。2015年5月11日武汉新芯宣布其3D NAND项目研发取得突破性进展，第一个存储测试晶片通过记忆体功能的电学验证，虽目前并未有相关细节流出，但此合作案目标将是在2017年量产出规格为32层之堆叠4x nm的3D NAND。
相对国际一线大厂Samsung(2015年Capex约在135亿美元和2016年预计115亿美元)，此2年180亿美元假话，仍落后于Samsung 2年投入，如何确保紫光相关投入能达到与一线大厂投入相同的效果，将是投资要成功的最大困难点，在无既有营运支持下，当生产能力无法顺利到位，如何有资金维繫工厂月产能12万片的营运与研发将是问题，紫光如何突破生产技术的取得和授权，将是整个投资最关键的环节。
武汉新芯在2014年与Spansion合作，成功将NAND技术推向32nm，至2015年5月武汉新芯宣布其Spansion合作的3D NAND项目研发取得突破性进展，是中国在NAND Flash产业进展最快的厂商。
2014年以前，中芯国际已开发出一系列从130nm到65nm特殊NOR Flash的记忆体生产平台，2014年9月10日更是宣布38nm NAND Flash记忆体工艺制程已准备就绪。
Intel则宣布投资55亿美元将原先65nm生产线的大连厂，改建为月产能3万片的3D NAND Flash厂，预计2016年先投入15亿美元，到2016第四季开始投片生产，月产能估计达1万片。
如上所述，同方国芯的大规模定增将投入到Flash的研发和制造。
(一)、武汉新芯
紫光集团在此规划项目上，不如武汉新芯或中芯国际有较完整的技术累积，所以主要是透过资本和供应链协同方式进行操作。
紫光旗下同方国芯提出私募800亿元人民币的增资案，用于Flash产业，而同方本次增资规模已接近大基金规模6成，可看出推动Flash产业是高度资本集中。TrendForce旗下拓墣研究所相关报告将检视中国Flash产业现状(特别着重在Flash晶片制造业)的发展和机会。其中，小编在此为各位分享中国主要Flash晶圆制造商的现状。
中芯国际为全球第五大，也是中国第一大的晶圆制造厂商，主要是以逻辑IC的代工业务为主，虽在2013年退出武汉新芯的经营，但在Flash业务上仍未缺席。
武汉新芯为专业Foundry厂商，主要生产NOR Flash和BSI CIS等技术，12寸晶圆月产能2.2万片;2014年NOR Flash和BSI产能规划各为每月1万片和1.2万片，目前月产能配置仍维持在2.2万片，在产品上更多Low Power Logic和NAND Flash。
武汉新芯在研发团队的创新力和执行力，得益于长期与中科院微电子研究所展开紧密的合作，在3D NAND项目，双方採用创新合作模式，即将双方专家在研发专案和人力资源的管理上，透过企业平台合为一体，此模式将中科院微电子所深厚的理论背景，与武汉新芯丰富的制造和研发经验有机会相结合。
1. 产能状况
3. 国际合作与进展
Samsung和Intel在中国NAND Flash的产能建置，预估至2016年第四季将达到每月11万片，约佔全球NAND Flash晶圆出货量7.6%，若将3D NAND有单片较高的bit产出纳入考虑，加上中国厂商的进展，则Made in China的NAND位元数在2017年全球佔比有机会达到10%。
(五)、TRI观点
虽然由中芯国际公开的营收资讯中可看出38nm NAND Flash自推出至今，未在营收上崭露头角;然而中芯表示，此技术突破，说明中芯在技术多元化方面取得重要进展，也为后续开发更先进2x/1x nm和3D NAND Flash记忆体的研发和量产奠定稳固基础，虽不像武汉新芯在NAND Flash的成果和专注，但近期中国极力想突破记忆体自制缺口，此技术让中芯在未来可能进一步强化在NAND Flash记忆体的制造能力。
紫光集团在Flash相关竞争中，资金是主要优势，但在没有既有营运的支持下，如何突破生产技术的取得和授权，会是整个投资最关键环节。